碳化硅
SiC（碳化硅，硅碳化物）与硅相比，带隙比硅宽约3倍（3.26eV），导热率也是硅的3倍以上（4.9W/cm･k），在绝缘击穿电压这方面，有着约是硅的10倍（2.8MV/cm）的特性。和硅相同，将导通电阻下降到10mΩ・cm2时，耐电压达到1200V。
SiC功率半导体设备的特征有：
1. 导通电阻小
2. 切换时间短
3. 高温下作业
适用于 MOSFET,IGBT，肖特基势垒二极管（SBD）等。
除了这些半导体以外，也用作发光二极管（LED)的底板。
Physical Properties
| Polytype | 4H-SiC |
| Crystal Structure | Hexagonal |
| Bandgap | ～ 3.2eV |
| Thermal Conductivity | ～ 4.9W/cm·K |
| Electronic mobilｉty | ～ 1140c㎡/v・s |
| Lattice Parameters | a ～ 3.073Å |
| c ～ 10.053Å | |
| Mohs Hardness | ～ 9.15 |
SiC Wafer Specification
４H N-type Silicon Carbide wafers
| Size(inch) | Grade | Orientation | Thickness(μm) | Micropipe Density(cm-2) | Resistivity(Ω・cm) |
| 4 | A | 4°±0.5° | 350±25 | ≦0.5 | 0.015-0.025 |
| B | ≦2 | ||||
| C | ≦15 | 0.015-0.028 | |||
| 6 | A | ≦0.5 | 0.015-0.025 | ||
| B | ≦2 | ||||
| C | ≦15 | 0.015-0.028 |
４H Semi-insulating Silicon Carbide wafers
| Size(inch) | Grade | Orientation | Thickness(μm) | Micropipe Density(cm-2) | Resistivity(Ω・cm) |
| 4 | A | 0°/4°±0.5° | 500±25 | ≦1 | ≧1E7 |
| B | ≦5 | ||||
| C | ≦15 | ≧1E5 | |||
| 6 | A | ≦1 | |||
| B | ≦5 | ||||
| C | ≦15 |
４H N-type Silicon Carbide Ingot
| Size(inch) | Grade | Orientation | Length(mm) | Micropipe Density(cm-2) |
| 4 | B | 4°±0.5° | 5～10 | ≦15 |
| 10～15 | ||||
| 15～20 | ||||
| C | 4°±0.5° | 5～10 | ≦50 | |
| 10～15 | ||||
| 15～20 | ||||
| 6 | C | 4°±0.5° | 5～10 | ≦50 |
| 10～15 | ||||
| 15～20 |
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